FDB2532
Версия для печати
20v n-channel powertrench mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FDB2532 (ONSEMI) | 6 | 710.84 руб. | |
Технические характеристики FDB2532
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 79A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V |
| Power - Max | 310W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D²PAK |
|
FDB2532 MOSFET 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
||
