CSD16409Q3
Версия для печати N-channel ciclon nexfet power mosfetsНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
CSD16409Q3 (TEXAS INSTRUMENTS) | 51 | 21.60 руб. | |
Технические характеристики CSD16409Q3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
Серия | NexFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 17A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 12.5V |
Power - Max | 2.6W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SON |
Корпус | 8-SON |
CSD16409Q3 MOSFET N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs
Производитель:
|
||