BSZ160N10NS3 G
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BSZ160N10NS3 G | 16 |
|
|
Технические характеристики BSZ160N10NS3 G
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 50V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
