BSN254A
Версия для печати
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BSN254A (КИТАЙ) | 4642 | 324.11 руб. | |
Технические характеристики BSN254A
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
|
BSN254 N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor Также в этом файле: BSN254A
Производитель:
|
||
