BFS17A
Версия для печати
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, P=300mW, -65 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BFS17A (NXP) | 152 | 19.20 руб. | |
Технические характеристики BFS17A
| Корпус | TO-236AB |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 2mA, 1V |
| Power - Max | 300mW |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 800MHz |
| Frequency - Transition | 2.8GHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
BFS17AW Silicon NPN Planar RF Transistor
Производитель:
|
||
