BD139-16

Версия для печати Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=100-250@Ic=150mA, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD139-16 (SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD) 1194 27.00 руб. 

Технические характеристики BD139-16

Корпус SOT-32-3
Корпус (размер) TO-225AA, TO-126-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
BD139
Мощные биполярные транзисторы

NPN power transistors

Также в этом файле: BD139-16

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

bd139.pdf
48.06Kb
8стр.