BC858ALT1
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BC858ALT1 | 1030 | 6.34 руб. | |
Технические характеристики BC858ALT1
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 225mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
BC856ALT1 Универсальные биполярные транзисторы General Purpose Transistors PNP Silicon Также в этом файле: BC858ALT1, BC858ALT1G
Производитель:
|
||