Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
BC857 | 176 | 6.30 |
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Транзистор общего назначения SMD PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW).
Uк.б.макс. = 50 В
Uк.е.макс. = 45 В
Ue.б.макс. = 5 VI
к.макс. 100 mA
Iк.пик. 0.3 A
Pмакс. 310 mW
B=110-800@I=2mA;
Vсе=5V;
f>250MHz
-55 to +150C
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |