BC850B
Версия для печати
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC850B | 2952 | 4.22 руб. | |
Описание BC850B
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус SOT23
Технические характеристики BC850B
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
|
BC846AW NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC850BW
Производитель:
|
||
