BC847CLT1G
Версия для печати Транзистор биполярный SMDНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BC847CLT1G (ON SEMICONDUCTOR) | 1 | 3.84 руб. | |
Технические характеристики BC847CLT1G
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Transistor Type | NPN |
Корпус | SOT-23-3 |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 100MHz |
Power - Max | 225mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
BC846ALT1 Универсальные биполярные транзисторы General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: BC847CLT1G
Производитель:
|
||