BC847BS

Версия для печати Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BS (HOTTECH) 2050 2.64 руб. 

Технические характеристики BC847BS

Корпус SC-70-6
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 210mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
BC847BS

Npn General Purpose Double Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

bc847bs.pdf
49.47Kb
8стр.