BC337-16
Версия для печати Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 0,5A, 0,625W, B:100-250Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BC337-16 (NXP) | 2659 | 7.20 руб. | |
Описание BC337-16
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.36 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Технические характеристики BC337-16
Корпус | TO-92-3 |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 100MHz |
Power - Max | 625mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Аналоги для BC337-16
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
КТ660А (МИНСК) | 582 | 7.20 руб. |
BC337 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC337-16
Производитель:
|
||