2SK956
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SK956 (FUJI ELECTRIC) | 5 | 422.28 руб. | |
Описание 2SK956
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики S,мА/В 6000
Корпус TO3PB
Пороговое напряжение на затворе 5
|
2SK956-01R N-channel Silicon Power Mos-fet
Производитель:
|
||
