2SC4793

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SC4793 920 26.41 руб. 

Описание 2SC4793

N-P-N транзистор средней мощности в изолированном корпусе.
 Предназначен для применения в усилительных схемах.

Технические характеристики 2SC4793

Корпус TO-220NIS
Корпус (размер) 2-10R1A (TO-220 NIS)
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
2SC4793

Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type Power Amplifier, Driver Stage Applications

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sc4793[1].pdf
360.23Kb
2стр.