2N7002E
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002E | 11200 | 1.73 руб. | |
Технические характеристики 2N7002E
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 240mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 21pF @ 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
|
2N7002E MOSFET N-Channel 60-V MOSFET
Производитель:
|
||
