2N5401

Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
2N5401 11680 1.36

Описание 2N5401

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 150 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60

Технические характеристики 2N5401

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 625mW
Frequency - Transition 300MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус TO-92-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru