Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
2N3904 | 26400 | 0.78 |
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 В
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.2 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 300 МГц
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 пФ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 270MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |