STW12NK80Z
Версия для печати
N-MOS 800V, 10.5A, 190WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STW12NK80Z (ST MICROELECTRONICS) | 31 | 484.76 руб. | |
Технические характеристики STW12NK80Z
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
STW12NK80Z MOSFET N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
||
