STS1DNC45
Версия для печати
Dual n-channel 450v - 4.1w - 0.4a so-8 supermesh™ power mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STS1DNC45 (ST MICROELECTRONICS) | 888 | 168.65 руб. | |
Технические характеристики STS1DNC45
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | SuperMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 400mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Power - Max | 1.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
STS1DNC45 MOSFET DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1W - 0.4A SO-8 SuperMESH™ POWER MOSFET
Производитель:
|
||
