STP80NF10
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP80NF10 (ST MICROELECTRONICS) | 14 | 308.01 руб. | |
Технические характеристики STP80NF10
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 40A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 182nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5500pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP80NF10 MOSFET N-channel 100V - 0.012? - 80A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
||
