STP4N150
Версия для печати
Транзистор МОП N-канальный 1500V 4A 160W TO-2Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP4N150 (ST MICROELECTRONICS) | 120 | 428.87 руб. | |
Технические характеристики STP4N150
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V (1.5kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP4N150 Мощные полевые МОП транзисторы N-CHANNEL 1500V - 5 Ohm - 4A TO-220 / TO-220FP / TO-247 Very High Voltage PowerMESHTM MOSFET
Производитель:
|
||
