STL21N65M5
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STL21N65M5 (ST MICROELECTRONICS) | 202 | 240.00 руб. | |
Технические характеристики STL21N65M5
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 179 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 5-PowerFlat™ HV |
| Корпус | 5-PowerFlat™ HV (8x8) |
