STGB10NB37LZ
Версия для печати
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутыйНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STGB10NB37LZ | 4 |
|
|
| STGB10NB37LZT4 (ST MICROELECTRONICS) | 192 | 755.71 руб. | |
Описание STGB10NB37LZ
Марка транзистора: STGB10NB37LZ (СТГБ10НБ37ЛЗ )
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 425V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1.3V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 20A
Предельная температура (Tj): 150 C
Время нарастания: 520 nS
Выходная емкость (Cс), Пф: 1700pF
STGB10NB37LZ D²PAK
STGB10NB37LZT4 D²PAK
STGP10NB37LZ TO-220
Технические характеристики STGB10NB37LZ
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerMESH™ |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 4.5V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Power - Max | 125W |
| Тип входа | Logic |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
STGB10NB37LZ IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
Производитель:
|
||
