SI4488DY-T1-E3
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI4488DY-T1-E3 (VISHAY) | 22 | 240.00 руб. | |
Описание SI4488DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOICТехнические характеристики SI4488DY-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
