PMV213SN
Версия для печати
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| PMV213SN | 4 |
|
|
Технические характеристики PMV213SN
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 20V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
|
PMV213SN MOSFET N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET
Производитель:
|
||
