MJD3055T4G
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| MJD3055T4G (ONS) | 756 | 84.37 |
Технические характеристики MJD3055T4G
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru