IXFK120N20
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IXFK120N20 | 16 |
|
|
Технические характеристики IXFK120N20
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V |
| Power - Max | 560W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-264AA |
| Корпус | TO-264AA |
|
IXFK120N20 N-канальные транзисторные модули HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die
Производитель:
|
||
