IRLR2908
Версия для печати
Hexfet power mosfets discrete n-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLR2908 | 2000 | 48.08 руб. | |
Технические характеристики IRLR2908
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 23A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1890pF @ 25V |
| Power - Max | 120W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR2908 Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
