IRLR2905TRPBF

N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W

Наименование
Кол-во
Цена
IRLR2905TRPBF 3200 55.14

Технические характеристики IRLR2905TRPBF

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 42A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 25A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru