IRLML5203
Версия для печати
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML5203 (UMW) | 13600 | 3.54 руб. | |
| IRLML5203TRPBF (INFINEON) | 18528 | 34.46 руб. | |
Описание IRLML5203
Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Технические характеристики IRLML5203
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
IRLML5203 HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
