IRLML2030
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML2030 | 3920 | 8.18 руб. | |
Технические характеристики IRLML2030
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
