IRL640

Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя

Наименование
Кол-во
Цена
IRL640PBF (VISHAY) 333 205.94
IRL640SPBF (VISHAY) 7 259.12
IRL640STRLPBF (VISHAY) 4318 250.42

Технические характеристики IRL640

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 66nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru