IRFZ44

Версия для печати Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ44PBF (VISHAY) 184 146.76 руб. 

Описание IRFZ44

Мощный N - канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора.
Мощность рассеиваемая   150Вт
Напряжение  сток / исток   20В
Напряжение ключ исток 60В
Ток стока 50А (200А)
Коэффициент передачи   175
Температура перехода до  175оС 

Технические характеристики IRFZ44

Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 50A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 31A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max 150W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRFZ4x

Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А

Также в этом файле: IRFZ44

Производитель:
Samsung semiconductor
http://www.samsung.com

irfz44.pdf
1,58MB
9стр.