IRFZ34N
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFZ34N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 53 | 110.16 руб. | |
Описание IRFZ34N
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 26 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 40 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 22.7 нКл
Рассеиваемая мощность 56 Вт
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Корпус TO-220-3
Технические характеристики IRFZ34N
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 29A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRFZ34NS N-канальные транзисторные модули 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRFZ34NS
Производитель:
|
||
