IRFU9024N
Версия для печати
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFU9024N | 8 | 84.48 руб. | |
Технические характеристики IRFU9024N
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 38W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
|
IRFR9024N 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFU9024N
Производитель:
|
||
