IRFR9N20DPBF
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRFR9N20DPBF (INFINEON) | 1040 | 77.93 руб. | |
Технические характеристики IRFR9N20DPBF
Power - Max | 86W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |