IRFR3411
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR3411 | 2000 | 48.08 руб. | |
Технические характеристики IRFR3411
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 32A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR3411 Дискретные сигналы 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA I-pak Package
Производитель:
|
||
