IRFPE50
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, P=190W, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFPE50 | 292 | 191.06 руб. | |
Технические характеристики IRFPE50
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFPE50 N-канальные транзисторные модули Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =1.2ohm, Id=7.8a)
Производитель:
|
||
