IRFP27N60KPBF
Версия для печати
N-канальный полевой транзистор (Vds=600V, Id=27, Rds=0.18 R, P=500W, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFP27N60KPBF | 236 | 356.54 руб. | |
Технические характеристики IRFP27N60KPBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 27A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4660pF @ 25V |
| Power - Max | 500W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFP27N60KPBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
