IRFP260N
Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRFP260N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 80 | 354.96 руб. | |
IRFP260NPBF | 1216 | 138.98 руб. | |
Описание IRFP260N
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики S,мА/В 27000
Пороговое напряжение на затворе 4
Корпус TO247AC
Технические характеристики IRFP260N
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 234nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4057pF @ 25V |
Power - Max | 300W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRFP260N N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||