IRFP064N

Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт

Наименование
Кол-во
Цена
IRFP064N 1051 131.34
IRFP064NPBF 800 111.82

Описание IRFP064N

Мощный N-канальный MOSFET транзистор.

Максимальный ток стока 110А
Максимальное напряжение сток-исток 55В
Сопротивление сток-исток (откр. сост.) <0,008 Ом
Максимальная мощность рассеивания 200Вт
Допустимое напряжение на затворе  ±20В
Пороговое напряжение на затворе  +2..+4В
Ток утечки затвора     < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.)     < 25 мкА
Время включения/выключения     14/43нс(тип.)
Время восстановления диода  (исток-сток)     110нс (тип.)
Ёмкость затвор-исток     4000пФ(тип.)
Ёмкость сток-исток     1300пФ(тип.)
Корпус TO-247AC
Температурный диапазон     - 55..+175°С

Технические характеристики IRFP064N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 59A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 110A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4000pF @ 25V
Power - Max 200W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru