IRFB4227

Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А

Наименование
Кол-во
Цена
IRFB4227PBF (INFINEON) 5917 129.26

Описание IRFB4227

Транзистор  N- канальный MOSFET
Мощность    190Вт
Напряжение сток - исток   200В
Ток стока  пиковый   130А
Диапазон температур   - 40 .... 175оС

Технические характеристики IRFB4227

Параметр
Значение
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 65A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 46A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Power - Max 330W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru