IRF9Z34NS
Версия для печати
Транзистор полевой SMDНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9Z34NS | 1920 | 51.41 руб. | |
Технические характеристики IRF9Z34NS
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF9Z34NS P-канальные транзисторные модули 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z34NS
Производитель:
|
||
