IRF9610PBF
Версия для печати
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 1.8A, 20W, 3R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9610PBF | 442 | 84.48 руб. | |
Технические характеристики IRF9610PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 900mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Power - Max | 20W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF9610PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
