IRF820

Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 500В, 4A , 80Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF820 (VISHAY) 40 140.76 руб. 
IRF820PBF (VISHAY) 720 108.23 руб. 

Описание IRF820

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока    4А
Максимальное напряжение сток-исток    500В
Сопротивление сток-исток (откр.)          <0.3 Ом
Максимальная мощность рассеивания       80Вт
Допустимое напряжение на затворе       +/-30В
Время включения/выключения        13/15нс (тип.)
Диапазон рабочих температур     - 55 ...+150oC

Технические характеристики IRF820

FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
Серия PowerMESH™

Аналоги для IRF820

Наименование
Кол-во
Цена
 
КП780А (ИНТЕГРАЛ) 40 134.64 руб. 
IRF820

N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
http://www.st.com

irf820.pdf
94.82Kb
8стр.