IRF820
Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 500В, 4A , 80ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF820 (VISHAY) | 40 | 140.76 руб. | |
IRF820PBF (VISHAY) | 720 | 108.23 руб. | |
Описание IRF820
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <0.3 Ом
Максимальная мощность рассеивания 80Вт
Допустимое напряжение на затворе +/-30В
Время включения/выключения 13/15нс (тип.)
Диапазон рабочих температур - 55 ...+150oC
Технические характеристики IRF820
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V |
Power - Max | 50W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Серия | PowerMESH™ |
Аналоги для IRF820
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
КП780А (ИНТЕГРАЛ) | 40 | 134.64 руб. |
IRF820 N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
Производитель:
|
||