IRF7309
Версия для печати
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, 3.2A(--2.4A)@t=70C, Rds=0.05 R(0.1R), P=1.4W), smd.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 800 | 97.92 руб. | |
Описание IRF7309
Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.
Параметр N-канал P-канал
Uси.max 30V -30V
Uзи.max +/- 20V
Iс.max 4A(+25oC), 3,2A(+70oC) /-3A(+25oC) -2,4A(+70oC)
Pрасс.max 1,4W (при +25oC)
Rси.откр. (тип.) 0,05 Om 0,1 Om
Свх/Cвых (тип.) 520pF/180pF 440pF/200pF
tвкл/выкл (тип.) 6.8nS/22nS 11nS/25nS
Tраб. -55oC..+150oC
Технические характеристики IRF7309
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A, 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.4A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 520pF @ 15V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7309 N/P-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
