IRF7205

Транзистор полевой P-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=4.6A@t=25C, Id=3.7A@t=70C, Rds=70 mOm, P=2.5W, -55 to 150C)

Наименование
Кол-во
Цена
IRF7205 2320 19.01

Технические характеристики IRF7205

Параметр
Значение
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 4.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 870pF @ 10V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru