IRF630NS
Версия для печати
Транзистор полевой SMDНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF630NS (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 35 | 240.00 руб. | |
Технические характеристики IRF630NS
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Power - Max | 82W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF630N N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NS
Производитель:
|
||
