IRF630N
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 R@Vgs=10V, P=82W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF630N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 24 | 76.80 руб. | |
Технические характеристики IRF630N
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Power - Max | 82W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF630N N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NL, IRF630NS
Производитель:
|
||
