IRF530NS
Версия для печати
Транзистор полевой SMDНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF530NS | 1200 | 45.34 руб. | |
Технические характеристики IRF530NS
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF530NL N-канальные транзисторные модули HEXFET Power MOSFET Также в этом файле: IRF530NS
Производитель:
|
||
